| 类 别 |
项 目 名 称 |
注 释 |
单 位 |
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层次去除 |
去层—passivation钝化层 |
SIO2、SI3N4 |
层 |
| 去层—Metal金属层 |
Al |
层 |
| 去层—oxide氧化层 |
SIO2、SI3N4 |
层 |
| 去层—poly |
去除器件层以利染色或观察衬底 |
层 |
| 去 polyimide |
去除聚酰亚胺 |
颗 |
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染色 |
阱染色/电阻染色 |
通过染色区分P-MOS、N-MOS或掺杂电阻
( 因其透明而无法在光学显微镜下直接观察 ) |
颗 |
| 码点染色 |
通过染色区分ROM区中
以离子注入方式来代表的"0"和"1" |
颗 |
| 取晶 |
取晶 |
去除封装, 将die完整取出. |
颗 |
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拍照 |
高解析度显微拍照 |
* 解析度0.25um, 无缝拼接, 1.2m宽幅照片输出
* 精确放大倍率, 图附微米标尺, 方便测量线宽
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平方米 |
| 照片加印 |
冲洗多份照片 |
平方米 |
| 评估 |
概貌图及拍照评估
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给出工艺参数评估报告：
die size, 线宽, 建议拍照倍率, 概貌图 |
颗 | |
